12月19日|安森美半導體宣佈與格芯簽署合作協議,將採用格芯先進的200毫米eMode氮化鎵硅基工藝開發並製造先進氮化鎵(GaN)功率產品,首款產品為650V器件。此次合作將加速安森美半導體高性能GaN器件及集成功率級產品路線圖的推進,通過擴展高壓產品組合滿足人工智能數據中心、電動汽車、可再生能源、工業系統以及航空航天、國防和安全領域日益增長的功率需求。